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高质量钨酸铅(PWO)晶体的生长

Growth of High Quality PWO Single Crystal

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【作者】 杨培志廖晶莹沈炳孚邵培发倪海红方全兴殷之文

【Author】 YANG Pei-Zhi, LIAO Jing-Ying, SHEN Bing-Fu, SHAO Pei-Fa, NI Hal-Hong, FANG Quan-Xing, YIN Zhi-Wen (Laboratory of Functional Inorganic Materials, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)

【机构】 中科院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室中科院上海硅酸盐研究所无机功能

【摘要】 用改进的垂直坩埚下降法成功地生长了高质量的钨酸铅晶体,晶体毛坯的尺寸为28min×28mm×360mm;晶体的生长工艺参数为:籽晶取向[001];下降速度 0.6~1.0mm/h;生长界面附近的温度梯度为20~30℃/cm,加工后的晶体成品在420nm附近的透过率>60%;在360nm附近的透过率>25%.晶体的光输出>9p.e/MeV;光伤<5%.

【Abstract】 High-quality lead tungstate (PWO) single crystals were successfully grown by a modi- fied vertical Bridgman method. The optimal growth parameters selected are as follows: seed crys- tal direction <001 >, lowering rate 0.6~1mm/h, the axial temperature gradient 20-30℃/cm at growth solid-melt boundary. The performances of PWO crystals obtained are as follows: optical transmittance more than 60% at 420nm and more than 25% at 360nm, light yield more than 9 p.e./MeV, light loss less than 5% after irradiation.

【基金】 国家自然科学基金重点项目(59932002);中国博士后基金
  • 【文献出处】 无机材料学报 ,Journal of Inorganic Materials , 编辑部邮箱 ,2002年02期
  • 【分类号】O782
  • 【被引频次】16
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