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1.55μm波长发光的自组织InAs量子点生长
Growth of Self-assembled InAs Quantum Dots Emitting at 1.55μm
【摘要】 通过引入较长停顿时间 ,采用分子束外延循环生长方法在 35 0℃低温获得了一种横向聚合的InAs自组织量子点 ,在荧光光谱中观察到 1.5 5 μm波长的发光峰 .通过AFM和PL谱的联合研究 ,表明此低温循环生长方法有利于在长波长发光的量子点的形成 .
【Abstract】 A new kind of lateral associated self-assembled InAs quantum dots(QDs) was grown by solid-source molecular beam epitaxy at low substrate temperature of 350℃ with long time interruption in cycling deposition. In photoluminescence(PL) spectra,1.55μm light emission is observed. Atomic force microscopy(AFM) and PL measurements reveal that this growth technique is benefit to forming QDs with long emission wavelength.
【关键词】 InAs自组织量子点；
循环生长；
分子束外延；
1.55μm波长；
【Key words】 InAs self-assembled quantum dots； cycling deposition； molecular beam epitaxy； 1.55μm wavelength；
【Key words】 InAs self-assembled quantum dots； cycling deposition； molecular beam epitaxy； 1.55μm wavelength；
【基金】 国家自然科学基金 (No 6 0 176 0 0 6和 6 0 0 2 5 410 );中国科学院纳米科学与技术资助项目
- 【文献出处】 人工晶体学报 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,2002年05期
- 【分类号】TN304.05
- 【被引频次】1
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