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H~+辐照前后C-SiC涂层的XPS分析

XPS analysis for the C-SiC coatings before and after H~+ ion irradiation

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【Author】 XIONG Qi 1,YANG Bin 2,LIU Yao guang 3,WANG De-zhi 2,HUANG Ning kang 2 LEI Jia rong 3 (1.Divison of Education Administration,Nanchang Institute of Aeronautical Technology,Nanchang,P.R.China 330034;2.Institute of Nuclear Science and Technology,Sic

【机构】南昌航空工业学院教务处；四川大学原子核科学技术研究所·教育部辐射物理及技术重点实验室；中国工程物理研究院核物理与化学所；中国工程物理研究；

【摘要】对不锈钢基体上离子束混合沉积的C -SiC涂层进行了H+ 辐照模拟试验 ,由SIMS测量H+ 辐照前后氢的浓试分布 ,采用沟电子能谱 (XPS)对H+ 辐照前后涂层元素C和Si进行了内层电子结合能的测量分析 ,研究C及Si的化学键态的变化与H的关系 ,探讨SiC涂层阻氢机理更多还原

【Abstract】 Simulating experiments of H + irradiation were made for the C-SiC coatings deposited by ion beam mixing on stainless steel substrates. Hydrogen depth profiles of SIMS spectra were measured for the specimen before and after H + ion irradiation. XPS was used to analyze the chemical bonding energy for C and Si elements of coatings before and after H + ion irradation. Relationship between the changes of the chemical bond states for the elements of the C-SiC films and hydrogen was studied. Related mechanism of hydrogen resistant property for the C-SiC coatings was discussed.更多还原

【关键词】 C-SiC涂层； H+辐照； XPS；
【Key words】 C-SiC coating； H + ion irradiation； XPS；

【基金】获国家自然科学基金 (5 97810 0 2 );中国工程物理研究院科研基金资助

【文献出处】南昌航空工业学院学报(自然科学版) ,Journal of Nanchang Institute of Aeronautical Technology , 编辑部邮箱 ,2002年03期

【分类号】TQ163
【被引频次】2
【下载频次】112

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