【摘要】 在普通 Si器件性能模拟的基础上 ,详细研究了长沟应变 Si Ge器件的模拟 ,并进一步探讨了调制掺杂层的引入对器件性能 (主要是跨导 )的影响。在器件模拟过程中 ,采用隐含的 Si Ge材料和 Si材料模型会得到与实际情况差别较大的结果。根据前人的材料研究工作 ,引入了插值所得的近似因子 ,以修正 Silvaco中隐含的 Si Ge能带模型和迁移率参数。然后 ,依据修正后的模型对Si Ge PMOS进行了更为精确的二维模拟 ,并验证了调制掺杂层的作用更多还原

【Abstract】 The more accurate simulation of strained long channel SiGe devices was performed based on the research work of silicon device simulation The influence of modulation doped layer on device performance, especially on the transconductance, is discussed in particular A modified model is adopted to accomplish the two dimensional simulation of SiGe PMOSFET and verify the effect of modulation doped layer更多还原