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N2+注入Si的折射率谱和弛豫时间
Refractive Index Spectrum of Implanted Si and Relaxation Time
【摘要】 用TPP 1型椭圆偏光谱仪测量了注入能量为 5 0keV ,不同注入剂量的N+2 注入Si的折射率谱 .计算了单晶硅电极化的弛豫时间 ,并对上述结果进行了初步地讨论
【Abstract】 The refractive index spectrum of implanted Si with implanted energy 50 keV and different doses N + 2 are measured by Tpp l ellipsometry spectroscopy. The relaxation time of crystal electric polarzation are calculated. And these results are discussed.
【关键词】 离子注入;
椭圆偏光谱;
折射率谱;
弛豫时间;
【Key words】 Ion implantation; Ellipsometry spectrscopy; Refractive index spectrum; Relaxation time.;
【Key words】 Ion implantation; Ellipsometry spectrscopy; Refractive index spectrum; Relaxation time.;
【基金】 辽宁省科委 ;辽宁省教委 ;辽宁大学资助项目
- 【文献出处】 辽宁大学学报(自然科学版) ,