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N2+注入Si的折射率谱和弛豫时间

Refractive Index Spectrum of Implanted Si and Relaxation Time

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【作者】 高雅君； 刘宏俊； 韩宇；

【Author】 GAO Yajun, LIU Hongjun, HAN Yu Department of Physics Liaoning University Shenyang 110036

【机构】 辽宁大学物理系； 辽宁大学物理系 辽宁沈阳110036； 辽宁沈阳110036； 辽宁沈阳110036；

【摘要】 用TPP 1型椭圆偏光谱仪测量了注入能量为 5 0keV ,不同注入剂量的N+2 注入Si的折射率谱 .计算了单晶硅电极化的弛豫时间 ,并对上述结果进行了初步地讨论

【Abstract】 The refractive index spectrum of implanted Si with implanted energy 50 keV and different doses N + 2 are measured by Tpp l ellipsometry spectroscopy. The relaxation time of crystal electric polarzation are calculated. And these results are discussed.

【关键词】 离子注入； 椭圆偏光谱； 折射率谱； 弛豫时间；
【Key words】 Ion implantation； Ellipsometry spectrscopy； Refractive index spectrum； Relaxation time.；
【基金】 辽宁省科委 ;辽宁省教委 ;辽宁大学资助项目
  • 【文献出处】 辽宁大学学报(自然科学版) ,