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有机薄膜场效应晶体管的研制

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【摘要】 采用聚四氟乙烯充当绝缘材料,利用全蒸镀法制备得到了有机薄膜场效应晶体管.源极和漏极采用氧化铟锡,半导体层和绝缘层分别由铜酞菁和聚四氟乙烯充当,栅极采用银电极.在利用光刻制备沟道长度为50μm的源极和漏极后,依次真空沉积铜酞菁层、聚四氟乙烯层和银层,得到器件的电子迁移率为1.1×10-6cm2·(V·s)-1,开关电流比大于500.

  • 【文献出处】 科学通报 ,Chinese Science Bulletin , 编辑部邮箱 ,2002年08期
  • 【分类号】TN32
  • 【被引频次】17
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