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初生硅在熔体中的溶解动力学

DISSOLUTION KINETICS OF PRIMARY SILICON IN THE MELT

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【作者】 张蓉赵志龙刘汉武刘林

【Author】 ZHANG Rong, ZHAO Zhilong, LIU Hanwu, LIU Lin Department of Applied Physics, Northwestern Polytechnical University, Xian 710072 Correspondent:ZHANG Rong, associate professor, Tel: (029)8493264, E-mail:rong-zhang11@21cn.com Supported by Major State Basic R

【机构】 西北工业大学应用物理系西北工业大学应用物理系 西安710072西安710072西安710072

【摘要】 研究了初生硅在熔体中的溶解特性,并以原子扩散为模型,考虑界面反应等因素的影响.建立了初生硅在过热熔体中的溶解动力学模型 同时以 Al-17%Si合金为研究对象,采用等温液淬技术,对所建立的模型进行了实验验证 结果表明.初生硅在熔体中的溶解机制不是单纯受扩散控制的,而是由扩散、界面反应共同作用的结果 文中所建立的初生硅溶解模型可以较好地描述初生硅在不同温度过热熔体中的溶解特性.

【Abstract】 The dissolution process of primary silicon particles in the melt was studied both by melt overheating experiment and by theoretical analysis. A dissolution model of primary silicon in the melt was established based on the atomic diffusion and interface reaction. The results show that the dissolution mechanism of the primary silicon is controlled by two factors of solute diffusion and interface reaction. The dissolution model established can better describe the dissolution process of the primary silicon in overheating melt.

【基金】 国家重点基础研究发展规划资助项目G2000067202~~
  • 【文献出处】 金属学报 ,Acta Metallrugica Sinica , 编辑部邮箱 ,2002年04期
  • 【分类号】TG146.21
  • 【被引频次】9
  • 【下载频次】166
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