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Cd扩散对InSb晶体质量的影响

Influence of Cd Diffusion on InSb Material

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【Author】 LIU Yu dong 1,ZOU Hong ying 2,DU Hong yan 2,DONG Shuo 2,ZHU Ji man 1,MA Ju sheng 1 (1.Dept.of Material,Tsinghua University,Beijing 100084,China;2.North China Reseach Institute of E O,Beijing 100015,China)

【机构】清华大学材料系；华北光电研究所；清华大学材料系北京100084；北京100015；北京100084；北京100084；

【摘要】 InSb材料在Cd扩散后于表面产生了密度较高的小浅坑 ,对小坑的成分进行了分析 ,并根据结果对小坑的成因作了初步的推断。实验发现坑中Cd浓度约 4 4%。更多还原

【Abstract】 After the diffusion processing,there were high density tiny pits on the wafer surface the components of the tiny pits were analyzed,and the elementary conclusion about the cause of pits’s formation were proponer,the concentration of Cd in the pits was about 44%.更多还原

【关键词】 InSb材料； Cd扩散；缺陷；
【Key words】 InSb material； Cd diffusion； defects；

【文献出处】激光与红外 ,Laser & Infrared , 编辑部邮箱 ,2002年02期

【分类号】TN214
【被引频次】3
【下载频次】48

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