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双自旋过滤隧道结在有限偏压下的隧穿电导和隧穿磁电阻
【摘要】 最近的一项理论估计指出,NM/FI/FI/NM 型双自旋过滤隧道结（DSFJ,此处NM和FI分别表示非磁电极和铁磁绝缘体或半导体）,在零偏压下可能具有甚高的隧穿磁电阻（TMR）针对磁电阻元件的研制和应用的需要,计算了DSFJ的TMR和电导随偏压,FI厚度以及势垒高度的变化.结果表明:与传统的FM/NI/FM型磁性隧道结（FM和NI分别代表铁磁电极和非磁绝缘体或半导体）相比,DSFJ具有一个有利于应用的特点:其TMR在具有甚高值的问时,不随偏压的增大而单调地剧烈下降,而是先缓慢升到一个峰值后再下降.
【基金】 国家自然科学基金（批准号:10074075）;国家基础研究规划基金（批准号:G1999064509）资助项目
- 【文献出处】 中国科学(A辑) ,Science in China,Ser.A , 编辑部邮箱 ,2002年08期
- 【分类号】O482.5
- 【被引频次】5
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