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层状钙钛矿铁电材料的畴结构研究

Domain Structures of Layered Bismuth Compounds

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【作者】 苏东； 姚阳阳； 丁勇； 陈恺； 朱劲松； 王业宁； 徐庆宇； 刘建设；

【Author】 SU Dong, YAO Yang-yang, DING Yong, XU Qing-yu, CHEN Kai, LIU Jian-she, ZHU Jin-song, WANG Ye-ning(The Lab of Solid State Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China; Beijing Laboratory of Electron Microscopy, Institute of Physics and Center for Condensed Matter Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China;Institute of Microelectronics, Qinghua University, Beijing 100084, China)

【机构】 南京大学固体微结构物理国家重点实验室； 中科院物理所北京电子显微镜实验室； 清华大学微电子研究所 江苏南京210093； 江苏南京210093； 北京100080； 北京 100080；

【摘要】 利用电子显微镜比较研究了SrBi2Ta2O9（SBT）,Bi3TiTaO9（BTT）,Bi4Ti3O12（BTO）,Bi3.25La0.75Ti4O12（BLT）,SrBi4Ti4O15-Bi4Ti3O12（SBTi-BT）和SrBi4Ti4O15-Bi3.25La0.75Ti3O12（SBTi-BLT）各自的畴结构和形态,并讨论了可能的相关机制.研究结果发现:90°畴的形态和密度各不相同,均受材料本征的内应力影响;90°畴界密度较高的材料对应的疲劳性也较好.

【Abstract】 The domain structures of SBT and BTT, BTO and BLT, SBTi-BT and SBTi-BLT were studied by transmission electron microscope. 90°domain walls and anti - phase boundaries are found. High density and curved 90°domain walls are observed in SBT, BLT and SBTi - BLT which had fatigue free properties. On the other hand, faceted and low density 90°domain walls are found in fatigue failure materials : BTT, BTO and SBTi - BT. The possible mechanism is discussed.

【关键词】 铁电存储器； 畴界； 疲劳；
【Key words】 ferroelectric random access memory； domain wall； fatigue；
【基金】 国家自然科学基金资助(19904005;90207027)
  • 【文献出处】 哈尔滨理工大学学报 ,Journal of Harbin University of Science and Technology , 编辑部邮箱 ,2002年06期
  • 【分类号】TM221
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