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铜布线工艺中阻挡层钽膜的研究

Properties of Ta Film as Diffusion Barrier in the Copper Metallization

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【作者】 庞恩文林晶汪荣昌戎瑞芬宗祥福

【Author】 PANG Enwen LIN Jing WANG Rongchang RONG Ruifen ZONG Xiangfu (Department of Material Science, Fudan University, Shanghai, 200433,CHN)

【机构】 复旦大学材料科学系复旦大学材料科学系 上海200433上海200433

【摘要】 从钽膜质量的角度研究了用溅射方法在硅衬底上得到的 60 nm钽膜对铜硅互扩散的阻挡效果 ,钽膜的质量通过对硅衬底的表面处理以及钽膜的淀积速率来控制。研究发现 ,适当的硅衬底表面处理对钽膜是否能产生良好的防扩散能力起着关键的作用。本研究还得到了能有效阻挡铜硅接触的钽膜的淀积速率。

【Abstract】 This work studied the barrier properties of the 60 nm Tantalum (Ta) film sputtered on the Si substrate to against the interdiffusion of Si and copper (Cu). The quality of the Ta film was controlled by the cleaning process of Si substrate and the deposit rate of Ta film. It was found that to clean the Si substrate properly was essential to a good diffusion barrier. The deposit rate of the Ta film for efficiently obstructing the contact of Si and Cu was also got.

【关键词】 铜布线扩散阻挡层
【Key words】 copper metallizationdiffusion barrierTantalum
【基金】 国家自然科学基金重点项目资金资助 (项目编号 :6983 60 3 0 )
  • 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of Solia State Electronics , 编辑部邮箱 ,2002年01期
  • 【分类号】TN305.92
  • 【被引频次】17
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