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自由电子能带中的平均键能与费米能级

Average-bond-energy and Fermi Level on Free Electronic Band

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【作者】 李书平王仁智郑永梅蔡淑惠何国敏

【Author】 LI Shuping WANG Renzhi ZHENG Yongmei CAI Shuhui HE Guomin (Department of Physics, Xiamen University, 361005, CHN)

【机构】 厦门大学物理学系厦门大学物理学系 361005361005361005

【摘要】 根据半导体自由电子能带模型 ,文中在面心立方 (fcc)晶体、体心立方 (bcc)晶体和 6角密堆积 (hcp)晶体中研究自由电子能带的平均键能 Em 和费米能级 EF 的关系 ,并得出自由电子能带的平均键能 Em 相当于费米能级 EF 的研究结果。其结果有助于了解平均键能 Em 的物理实质 ,同时也为自由电子系统提供一种通过自由电子能带计算费米能级 EF(或费米半径 k F)的方法

【Abstract】 Based on the free electronic band model, we study the relationship between average bond energy E m and Fermi level E F in face centered cubic (fcc) crystal, body centered cubic (bcc) crystal and hexagonal closed packed structure (hcp) crystal. It is concluded that the average bond energy E m is equivalent to the Fermi level E F on free electronic band. The results may help to understand the physical conception of average bond energy E m and also supply a method to calculate the Fermi level E F or Fermi radius k F by electronic band calculation for free electronic system.

【关键词】 费米能级平均键能异质结
【Key words】 Fermi levelaverage bond energyheterojunction
【基金】 高校博士点基金 (95 3 840 9);福建省自然科学基金 (E990 0 0 5 )资助项目
  • 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of Solia State Electronics , 编辑部邮箱 ,2002年01期
  • 【分类号】O472
  • 【被引频次】3
  • 【下载频次】536
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