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十二位SOI/CMOS数模转换器的研制

Research of twelve-bit DAC fabricated with SOI/CMOS process

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【作者】 范秀强张正番刘永光多新中张苗王连卫林成鲁

【Author】 FAN Xiu-qiang1, ZHANG Zheng-fan2, LIU Yong-guang2, DUO Xin-zhong1, ZHANG Miao1, WANG Lian-wei1, LIN Cheng-lu1(1. Shanghai Institute of Metallurgy, Shanghai 200050, China;2. Sichuan Institute of Solid-State Circuits, Chongqing 400060, China)

【机构】 中国科学院上海冶金研究所四川固体电路研究所中国科学院上海冶金研究所 上海200050重庆400060上海200050上海200050

【摘要】 介绍一种SOI/CMOS数模转换器的设计和工艺。电路采用了SOI(SiliconOnInsulator)材料代替常规的体硅,使电路具有高速、抗辐照的特点;同时,电路采用独特分段结构和3—7温度编码电路,降低了对R—2R电阻网络的精度要求,提高了转换精度。

【Abstract】 The design and fabrication of a kind of twelve-bit SOI/CMOS DAC is introduced. The circuits adopt SOI (Silicon On Insulator) instead of body Silicon, So the circuits have the advantages as high speed, anti-irradiation. And the circuits have special structure of segments and three-to- seven encoder, reducing the demand to resolution of R—2R net and improving the resolution of DAC circuits.

【关键词】 数模转换器SOI/CMOS高速度模拟开关
【Key words】 DACSOI/CMOShigh speedanalog switch
【基金】 国家重点基础专项经费G20000365;上海市科学发展基金项目(No.99JC14012)
  • 【文献出处】 功能材料与器件学报 ,Journal of Functional Materials and Devices , 编辑部邮箱 ,2002年01期
  • 【分类号】TN792
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