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SiC埋层的制备与性质研究

Study on preparation and properties of SiC buried layer

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【Author】 WU Chun-yu1,2, SHEN Gui-fen2, WANG Ying2, ZHU Chang-chun1, LI Yu-kui1, BAI Ji-bin3 (1. School of Electronic Information Engineering ,Xi’an Jiao Tong University, Xi’an 710049, China; 2. Physical Department , Liao Ning University,

【机构】西安交通大学电子与信息工程学院；辽宁大学物理系；西安电力电子研究所西安710049辽宁大学物理系；沈阳110036；西安710049；西安710064；

【摘要】在衬底温度400℃条件下对n型(100)单晶硅进行剂量分别为5×1017cm-1和1×1018cm-1的C+注入,经过在1050℃氮气氛下进行60min退火形成β-SiC埋层。通过X射线光电子能谱(XPS),俄歇电子能谱(AES)及付立叶变换红外吸收光谱(FTIR),对所形成的碳化硅埋层进行了测试与分析。结果表明在此条件下,在Si中可以形成一定的SiC埋层,并且C+离子注入硅衬底可以形成β-SiC和α-SiC。SiC埋层主要由非立方相的α-SiC和立方相的β-SiC所构成。更多还原

【Abstract】 Carbon ions were implanted into Si substrates at an energy of 45keV with dose of 5×1017cm-1 and 1×1018cm-1 at about 400℃. after annealing at 1050℃ for 60min , the precipitates of SiC were formed. The SiC buried layer was studied by X-ray photo-emission spectroscope (XPS), Fourier transform infrared spectroscope (FTIR) and Auger electronic spectroscope (AES). The results show that SiC buried layer is formed in silicon underlayer, which consists of non-cubic α-SiC and cubic β-SiC.更多还原

【关键词】 SiC；离子束合成；能量损失谱；
【Key words】 SiC； iron beam synthesis； energy loss spectroscope；

【基金】辽宁省科委自然科学基金(No.972094);国家自然科学基金资助项目(No.69876013)

【文献出处】功能材料与器件学报 ,Journal of Functional Materials and Devices , 编辑部邮箱 ,2002年01期

【分类号】TN304
【被引频次】4
【下载频次】109

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