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单管体硅,SOI及DSOI MOSFET热分析

THERMAL ANALYSIS OF SINGLE BULK-Si, SOI AND DSOI MOSFET

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【作者】 刘宏伟梁新刚

【Author】 LIU Hong-Wei LIANG Xin-Gang(Department of Engineering Mechanics, Tsinghua University, Beijing 100084, China)

【机构】 清华大学工程力学系清华大学工程力学系 北京 100084北京 100084

【摘要】 本文简单介绍了SOI和 DSOI半导体器件制造技术,并提出了单管体硅,SOI及 DSOI MOSFET的热阻模型。进而对体硅,SOI MOSFET器件,特别是DSOI MOSPET的热学特性进行数值计算,比较并分析了其数值计算结果。

【Abstract】 SOI and DSOI, two kinds of techniques in fabrication of semiconductor devices, are introduced concisely in this paper. For single BULK-Si, SOI and DSOI MOSFET, this paper develops their thermal resistance models and analyses the analogous results accordingly.

【关键词】 SOIDSOIMOSFET热阻模型
【Key words】 SOIDSOIMOSFETthermal resistance model
【基金】 国家自然科学基金重大项目资助(No.59995550-1)
  • 【文献出处】 工程热物理学报 ,Journal of Engineering Thermophysics , 编辑部邮箱 ,2002年04期
  • 【分类号】TN386.1
  • 【被引频次】4
  • 【下载频次】147
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