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高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器

High Power Linear GRIN-SCH-SQW GaAs/AlGaAs Lasers

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【作者】 李忠辉王玉霞高欣李梅王玲张兴德

【Author】 LI Zhong-hui, WANG Yu-xia, GAO Xin, LI Mei, WANG Ling, ZHANG Xing-de (National Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun Institute of Optics and Fine Mechanics, Changchun 130022, China)

【机构】 长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室

【摘要】 应用MOVPE研制出梯度折射率分别限制GaAs/AlGaAs单量子阱激光器 ,室温单面连续输出光功率超过 5 0 0mW ,激射波长为 82 0 3nm ,并讨论了注入电流和温度改变对波长的影响

【Abstract】 The high power linear graded-index separate-confine-heterostructure signle-quantum-well GaAs/AlGaAs lasers have been grown and fabricated by MOVPE method.The maximum continue wave output optical power is up to 500mW for the lasers with 300μm wide stripe and 600μm cavity length.Threshold current is 137mA and emitting wavelength is 820.3nm at room temperature for continue wave operation.The measured vertical and parallel divergance angle are 4.5° and 38.2°,respectively.That is the advantages of graded-index separate-confine-heterostructure,thus it can get a higher efficiency in the application of pump solid lasers and fiber output.

【关键词】 梯度折射率分别限制结构单量子阱激光器
【Key words】 GRINSCHSQWlasers
  • 【文献出处】 发光学报 ,Chinese Journal of Luminescence , 编辑部邮箱 ,2002年01期
  • 【分类号】TN248
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