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(111)Si上外延生长六方GaN的TEM观察

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【机构】中国科学院北京电子显微镜实验室；中国科学院半导体研究所；中国科学院半导体研究所中国科学院物理所；北京100080；中国科学院物理所；北京100；

【摘要】利用衍衬、ＳＡＥＤ、ＨＲＴＥＭ对在 (111)Ｓｉ上外延生长的六方ＧａＮ进行了观察分析。ＧａＮ外延层与缓冲层和基底的取向关系为 (0 0 0 1) ＧａＮ (0 0 0 1) ＡｌＮ (111) Ｓｉ,[112 0 ]ＧａＮ [112 0 ]ＡｌＮ [110 ]Ｓｉ。ＧａＮ外延层中存在倒反畴。ＧａＮ中位错以刃型位错为主。Ｉｎ0 1Ｇａ0 9ＮＧａＮ的多重量子阱结构 (ＭＱＷ )具有阻挡穿透位错 ,降低位错密度的作用。由于在室温下具有 3 4ｅＶ的直接带隙 ,ＧａＮ已经成为制备一些光电子器件如蓝色、紫色、紫外发光二极管及激光二极管等的最佳候选材料[1,2 ] 。通常是在各种衬底上异更多还原

【关键词】外延生长； GaN； Si； TEM观察；外延层；异质外延；直接带隙；缓冲层；量子阱结构；暗场像；

【基金】国家自然科学基金资助项目 (No .5 0 0 72 0 44 )

【文献出处】电子显微学报 ,Journal of Chinese Electron Microscopy Society , 编辑部邮箱 ,2002年05期

【分类号】TN304.055
【被引频次】4
【下载频次】129

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