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2-GHzCMOS射频低噪声放大器的设计与测试

Design and Test of 2-GHz CMOS RF Low Noise Amplifier

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【Author】 LIN Min,WANG Hai-yong, LI Yong-ming,CHEN Hong-yi( Institute of Microelectronics , Tsinghua University, Beijing 100084)

【机构】清华大学微电子学研究所；清华大学微电子学研究所北京100084；北京100084；北京100084；

【摘要】本文采用 CMOS艺,针对无线通信系统前端（Front-end）的低噪声放大器进行了分析、设计、仿真和测试。测试结果表明,该放大器工作在 2.04GHz的中心频率上,3dB带宽约为 110MHz,功率增益为 22dB,NF小于 3.3dB.测试结果与仿真结果能够很好地吻合.更多还原

【Abstract】 Design and test of a 2-GHz RF low noise amplifier(LNA)implemented with CMOS technology is presented here. Measurement results show this amplifier works well centered at 2.04GHz frequency,with a 22dB forward power gain(S21)and a noise figure(NF) less than 3.3dB.It has a fairly wide 3-dB bandwidth which is 110MHz,suitable for most portable wireless applications.更多还原

【关键词】 CMOS射频集成电路；低噪声放大器；噪声；
【Key words】 CMOS RFIC； low noise amplifier； noise；

【基金】国家重点基础研究专项基金（NO.G2000036508）

【文献出处】电子学报 ,Acta Electronica Sinica , 编辑部邮箱 ,2002年09期

【分类号】TN722
【被引频次】35
【下载频次】484

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