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辐射敏感PMOS管的研制

Research on Radioactive Sensitive PMOS Device

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【Author】 CHEN Deying, CAI Zhenbo, JIANG Yanfeng, ZHANG Xu, WANG Cheng, FAN Lujia (Microelectronics Center, Southeast University, Nanjian 210096 P.R.China)

【机构】 MEMS重点实验室东南大学；航天部五院；信息部第55研究所； MEMS重点实验室东南大学南京210096；南京210096；南京210096；

【摘要】本文根据辐射敏的特点设计了不同沟道长度 (L )和宽长比 (W/ L )的敏感管 ,并给出样品的直流参数的测试结果。更多还原

【Abstract】 WT10.5,10.BZ]A type of radioactive sensitive PMOS device with different channel length( L ) and varied ratio of width to length ( W/L ) has been fabricated successfully. Moreover, their DC parameters are measured, too.更多还原

【关键词】辐射敏感； PMOS；阈值电压漂移；
【Key words】 radioactive sensitive； PMOS； drift of threshold voltage；

【文献出处】电子器件 ,Journal of Electron Devices , 编辑部邮箱 ,2002年04期

【分类号】TN432
【被引频次】2
【下载频次】70

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