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在织构Ni衬底上用电子束蒸发沉积YSZ阻挡层

GROWTH OF YSZ BUFFER LAYER ON CUBE-TEXTURED Ni

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【作者】 杨坚宫声凯舒勇华刘慧舟胡广勇王晓华

【Author】 Yang Jian Gong Sheng kai * Shu Yong hua Lui Hui zhou Hu Guang yong Wang Xiao hua General Research Institute for Non-ferrous Metals, Beijing\ 100088 * Beijing University of Aeronautics and Astronautics Beijing\ 100083

【机构】 北京有色金属研究总院超导中心北京航空航天大学北京有色金属研究总院超导中心 北京100088北京100083北京100088北京100088

【摘要】 用轧制及再结晶方法制备了高度立方织构的金属Ni(镍 )基带 .采用电子束蒸发的方法在几个厘米长的Ni基带表面上生长YSZ(钇稳定二氧化锆 )阻挡层 .X射线衍射分析表明 ,YSZ层具有纯c轴取向和良好的平面内取向及立方织构 .扫描电镜观察表明 ,YSZ阻挡层连续致密无裂纹 .

【Abstract】 The {100}\ cube textured metal Ni was obtained by cold rolling process followed by a recrystallization heat treatment. YSZ oxide buffer layer on textured Ni tape of a few centimeter long was deposited by electron beam evaporation. X ray diffraction was used to measure c axis , in plane orientation and pole figure. It showed that YSZ film was pure c axis alignment, a good in plane orientation and cubic texture. The result of SEM examination of the YSZ buffer layer microstructure was presented. No microcrack was observed.

【基金】 国家超导研究开发中心 (国家 863项目 );国家重点基础研究专项资助项目~~
  • 【文献出处】 低温物理学报 ,Chinese Journal of Low Temperature Physics , 编辑部邮箱 ,2002年02期
  • 【分类号】O511.4
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】64
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