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氮化硅薄膜制备和生长动力学研究进展

Silicon Nitride preparation and Current Research on Growth Kinetics

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【Author】 ZHU Hongliang PEI Yanli YANG Deren(State Key Lab of Silicon Materials ,Zhejiang University ,Hangzhou 310027)

【机构】浙江大学硅材料国家重点实验室；浙江大学硅材料国家重点实验室杭州 310027；杭州 310027；杭州 310027；

【摘要】综述了氮化硅在微电子中的应用、制备,阐述了用氮气直接氮化的影响因素、膜生长的机理和动力学,以及未来的研究方向。更多还原

【Abstract】 This paper summarizes the application in microelectronics and the preparation of silicon nitride.Influencing factors,growth mechanism,kinetics of nitndation in nitrogen and research focus are discussed.更多还原

【关键词】氮化硅；氮化；动力学；硅；生长机理；
【Key words】 silicon nitride； nitridation； kinetics； silicon； growth mechanism；

【文献出处】材料导报 ,Materials Review , 编辑部邮箱 ,2002年12期

【分类号】TB43
【被引频次】15
【下载频次】460

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