【摘要】 尝试用侧向外延 (ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度 .侧向外延是在SiO2 /GaN/GaAs图形衬底上进行的 ,对生长所得的立方相GaN外延层用扫描电子显微镜 (SEM)和透射电子显微镜 (TEM)进行了观察和分析 ,TEM的平面像表明经过ELOG方法生长后 ,立方相GaN外延层中的层错密度由侧向外延生长前的 5× 10 9cm-2 降低至生长后的 6× 10 8cm-2 .双晶X射线衍射 (DCXRD)测量给出侧向外延前后外延层ω扫描 (0 0 2 )衍射摇摆曲线的半高宽(FWHM)分别为 33′和 17 8′ ,表明晶体质量有了较大改善 .对立方相GaN侧向外延过程中层错减少的机制进行了讨论 .更多还原

【Abstract】 Epitaxial lateral overgrown （ELOG） cubic GaN （c-GaN） on patterned SiO₂/GaN/GaAs（001） substrates by metalorganic vapor phase epitaxy （MOVPE） is investigated using transmission electron microscope （TEM） and scanning electron microscope （SEM）.TEM observations show a substantial reduction of stacking fault density in ELOG c-GaN,compared to that in conventional two-step grown c-GaN.The reduction mechanism of stacking faults in cubic GaN layers via lateral epitaxy is discussed.更多还原