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vfBGA内部芯片断裂问题

Inner Die Crack Simulation of vfBGA

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【作者】 庞恩文林晶郁芳宗祥福

【Author】 Pang Enwen 1,Lin Jing 1,Yu Fang 2 and Zong Xiangfu 1(1 Department of Materials Science,Fudan University,Shanghai 200433,China) (2 School of Materials Science and Engineering,Jiading Campus,Shanghai University,Shanghai 201800,China)

【机构】 复旦大学材料科学系上海大学嘉定校区材料科学与工程学院电子信息材料系复旦大学材料科学系 上海200433上海200433上海201800上海200433

【摘要】 利用 ANSYS软件以有限元分析的方法研究了 vf BGA器件内部芯片断裂问题 .通过建立模型和模型评价得到了适当的三维简化模型及导致芯片断裂的等效应力大小 .根据对测试过程的模拟预测找到了引起芯片断裂的原因 .研究发现 ,测试过程中设备与器件间的非正常接触所产生的应力集中是导致芯片断裂的根本原因

【Abstract】 The ANSYS software is employed to analyze the inner die crack of vfBGA.A suitable 3D model and the minimum stress causing die crack are achieved by modeling and estimating.The crucial cause of inner die crack is predicted and found after the simulation of the test process.It is the great stress induced by the abnormal contact between the testing equipment and vfBGA unit that causes the inner die crack.

【关键词】 有限元分析芯片断裂vfBGAANSYS
【Key words】 finite element analysisdie crackvfBGAANSYS
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2002年09期
  • 【分类号】TN406
  • 【被引频次】3
  • 【下载频次】97
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