【摘要】 研究了用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 Ga As(0 0 1)衬底上生长的立方相 Ga N(c- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性 ,并和生长在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上的六方相 Ga N (h- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性进行了比较 .实验发现 c- Ga N膜的暗态电流和光电流的变化不同于 h- Ga N膜的腐蚀电流的变化规律 .对引起上述差异的原因进行了简单的讨论 .更多还原

【Abstract】 Photoassisted wet chemical etching of cubic GaN （c-GaN） on GaAs（001） epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy （MOVPE） is investigated.Compared with the etching of hexagonal GaN （h-GaN） grown on Al₂O₃（0001）,it is found that the photoassisted wet etching behavior of c-GaN grown on GaAs is different from that of h-GaN on sapphire.The possible reason causing the difference is discussed.更多还原