【摘要】 提出了一种能根据嵌入式应用系统容量的不同而灵活选择字节擦除和块擦除两种不同擦除模式的 Be NOR阵列结构 ,该结构采用沟道热电子注入进行“写”操作 ,采用分离电压法负栅压源极 F- N隧道效应进行擦除 .对分离电压法负栅压源极 F- N隧道效应擦除的研究表明 ,采用源极电压为 5 V,栅极电压为 - 10 V的擦除条件 ,不仅能很好地控制擦除后的阈值电压 ,而且当字线宽度小于等于 6 4时 ,源极电压导致的串扰效应能得到很好的抑制 .研究表明该结构具有编程速度高、读取速度高、可靠性高及系统应用灵活的特点 ,非常适宜于在 1M位以下的嵌入式系统中应用 .更多还原

【Abstract】 A BeNOR Flash memory,which can work with byte erasing mode or sector erasing mode according to the difference of embedded memory systems,is proposed.This structure uses channel hot-electron to write and split-voltage negative gate source F-N tunneling effect to erase,and has a good disturb immunity when erased with 5V source voltage.The BeNOR Flash memory,which features a high program speed,a rapid read speed,and a good reliability,is demonstrated suitable for the embedded SOC systems under 1Mbit.更多还原