节点文献

用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜

A Low-Loss Interlayer--Thick Layers of Porous Silicon and Oxidized Porous Silicon for Application to the Microwave/RF-IC

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 龙永福朱自强赖宗声忻佩胜石艳玲

【Author】 Long Yongfu 1,2 ,Zhu Ziqiang 1,Lai Zongsheng 1,Xin Peisheng 1 and Shi Yanling 1(1 Department of Electronic Engineering,East China Normal University,Shanghai 200062,China) (2 Department of Physics,Changde Normal University,Changde 415000,China)

【机构】 华东师范大学电子系,华东师范大学电子系,华东师范大学电子系,华东师范大学电子系,华东师范大学电子系 上海2000622常德师范学院物理系,常德415000,上海200062,上海200062,上海200062,上海200062

【摘要】 提出在单片微波集成电路 (MMIC)中用多孔硅 /氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜 .研究了厚度为 70μm的多孔硅 /氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成 ,这层厚膜增加了衬底的电阻率 ,减少了微波的有效介质损耗 .通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性 ,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线 (CPW)的微波特性

【Abstract】 The use of a thick layer of porous silicon (PS)/oxidized porous silicon(OPS) is proposed as a low loss interlayer for passive elements in the monolithic microwave integrated circuit.The formation of the PS/OPS thick layers about 70μm on low resistivity Si is studied,which is expected to increase the substrate resistivity and reduce its effective dielectric loss under the microwave operation.A significant improved microwave performance on low R Si substrates is demonstrated by measuring the microwave characteristics of coplanar waveguides fabricated on the Si substrates with thick OPS.

【基金】 国家自然科学基金 (批准号 :698760 12 ) ;国家杰出青年基金 (批准号 :6992 5 40 9) ;国家重点基础研究规划 (973 ) (批准号 :G19990 3 3 10 5 );上海市科技发展基金资助项目
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2002年06期
  • 【分类号】TN454
  • 【被引频次】11
  • 【下载频次】144
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络