节点文献

CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验

Characteristics on Total-Dose of Radiation Hardness for CMOS/SOI 4Kb SRAM

推荐 CAJ下载
PDF下载
不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【Author】 Liu Xinyu 1,Liu Yunlong 1,Sun Haifeng 1,Wu Dexin 1,He Zhijing 2 and Liu Zhongli 2(1 Microelectronics R&D Center,The Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China) (2 Institute of Semiconductors,The Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,Ch

【机构】中国科学院微电子中心；中国科学院半导体研究所；中国科学院半导体研究所北京100029；北京100029；北京100083；北京100083；

【摘要】研究了 CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器的抗总剂量辐照性能 .CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器采用 1K×4的并行结构体系 ,其地址取数时间为 30 ns,芯片尺寸为 3.6 mm× 3.84 m m ;在工作电压为 3V时 ,CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器抗总剂量高达 5× 10 5Rad(Si) ,能较好地满足军用和航天领域的要求更多还原

【Abstract】 The study of total dose of radiation hardness of CMOS/SOI 4Kb static RAM’s is described.CMOS/SOI 4Kb SRAM adopts 1K×4 asynchronous system.So it achieves the fast access time of 30ns with chip size of 3 6mm×3 84mm.Total dose radiation hardness is up to 5×10 5Rad(Si) at 3V power supply.更多还原

【关键词】 CMOS/SOI4Kb； SRAM；抗总剂量辐照；
【Key words】 CMOS/SOI 4Kb； SRAM； total dose radiation hardness；

【文献出处】半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2002年02期

【分类号】TN432
【被引频次】12
【下载频次】180

知网节下载

节点文献中：

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络

节点文献