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立方相GaN的高温MOCVD生长(英文)

Growth of Cubic GaN by MOCVD at High Temperature

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【作者】 付羿孙元平沈晓明李顺峰冯志宏段俐宏王海杨辉

【Author】 Fu Yi,Sun Yuanping,Shen Xiaoming,Li Shunfeng,Feng Zhihong, Duan Lihong,Wang Hai and Yang Hui(State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors, The Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China)

【机构】 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室中国科学院

【摘要】 利用 MOCVD技术在提高生长温度 (90 0℃ )下生长出了高质量的立方相 Ga N ,生长速度提高到 1.6μm / h.高温生长的 Ga N样品近带边峰室温光荧光半高宽为 4 8me V ,小于在 830℃下生长的 Ga N样品 .在ω扫描模式下 ,X射线衍射表明高温生长的 Ga N具有较小的 (0 0 2 )峰半高宽 2 1′.可以看出 ,尽管立方 Ga N是亚稳态 ,高生长温度仍然有利于其晶体质量的提高 .本文对 Ga N生长中生长温度和生长速度之间的关系作了讨论

【Abstract】 High quality cubic GaN (c GaN) is grown by metalorganic vapor deposition (MOCVD) at an increased growth temperature of 900℃,with the growth rate of 1 6μm/h.The full width at half maximum (FWHM) of room temperature photoluminescence (PL) for the high temperature grown GaN film is 48meV.It is smaller than that of the sample grown at 830℃.In X ray diffraction (XRD) measurement,the high temperature grown GaN shows a (002) peak at 20° with a FWHM of 21′.It can be concluded that,although c GaN is of metastable phase,high growth temperature is still beneficial to the improvement in its crystal quality.The relationship between the growth rate and growth temperature is also discussed.

【关键词】 立方相GaNMOCVD
【Key words】 cubicGaNMOCVD
【基金】 国家自然科学基金资助项目~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2002年02期
  • 【分类号】TN304.23
  • 【被引频次】4
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