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采用0.18μm CMOS RF模型的高线性度降频混频电路的设计

A highly linear down-conversion mixer with 0.18μm CMOS RF model

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【Author】 HU Wei, CHEN Jin-fu, ZHANG Zhen-yong, YANG Lian-xing(ASIC & System State Key Lab, Fudan University,shanghai 200433 ,China)

【机构】复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室；复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433；上海200433；上海200433；

【摘要】介绍了降频混频电路的电路结构及其工作原理, 并且着重分析了一种高线性度的实现方法。电路采用了0.18μm CMOS RF模型, 通过仿真,得出了令人满意的结果.更多还原

【Abstract】 The principles of down-conversion mixer are introduced, specially a highly linearstructure. The paper realizes a highly linear mixer with 0.18mm CMOS RF model, and presentssimulation results.更多还原

【关键词】降频混频电路；高线性度； 0.18μm CMOS；射频电路；
【Key words】 Down-conversion Mixer； High Linearity； 0.18μm CMOS； RF Circuit；

【文献出处】半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,2002年12期

【分类号】TN432
【被引频次】5
【下载频次】136

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