ZnO:Al(ZAO)薄膜的特性研究

【摘要】 用直流磁控反应溅射技术制备了综合性能优良的ZnO:Al（ZAO）薄膜.X光衍射（XRD）、光电子能谱（XPS）和Auger电子能谱（AES）等分析结果表明,适量的铝掺杂和氧流量可有效地控制Al₂O₃相的生成.铝在薄膜表面的存在形式单一,并且Zn,O,Al各元素纵向分布均匀.理论与实验研究表明,对于高度简并的ZAO半导体薄膜,在温度较低时,离化杂质散射占主导地位;温度较高时,晶格振动散射将成为主要的散射机制;晶界散射仅当晶粒尺寸较小（与电子的平均自由程相当）时才起作用.此外,优化工艺参数可获得低电阻率(～5×10^-4Ωcm)的ZAO薄膜.在可见光区,其透射率>80％;在近中红外光区,其反射率>60％.更多还原