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InSb红外探测器衬底应力的模拟与分析

Simulation and analysis of film stress in substrates on the InSb infrared detector

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【作者】 刘家璐李煜刘传洋刘泽宋李梅张廷庆

【Author】 LIU Jia lu 1,LI Yu 1,LIU Chuan yang 1,LIU Ze 2,SONG Li mei 1,ZHANG Ting qing 1 (1. Research Inst. of Microelectronics, Xidian Univ., Xi′an 710071, China; 2. Air Force Engineering Univ., Xi′an 710068, China)

【机构】 西安电子科技大学微电子所!陕西西安710071西安空军工程大学!陕西西安710068

【摘要】 根据线性弹性理论集中力的假定 ,计算了矩形膜淀积在InSb衬底上的三维应力分布 ;讨论了钝化膜对InSb衬底应力的影响 ;提出了提高InSb平面二极管可靠性的措施 .

【Abstract】 The three dimensional stress distributions in a substrate due to a rectangular film deposited on the substrate are calculated by the linear elastic theory on the assumption of a concentrated force at the film and the effect of the passivation film on stress distribution in the InSb substrate are discussed. Finally, the mea sures for improving the reliability of the InSb plane diode are proposed.

【关键词】 应力钝化膜锑化铟可靠性
【Key words】 stresspassivation filmInSbreliability
【基金】 电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科学重点实验室资助项目!( 98JS0 3 6DZ0 10 8)
  • 【文献出处】 西安电子科技大学学报 ,Jounal of Xidian University , 编辑部邮箱 ,2001年03期
  • 【分类号】TN305
  • 【被引频次】6
  • 【下载频次】122
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