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接近式光刻中斜照明改善分辨率的模拟与分析
Simulation and Analysis of Resolution Enhancement in Proximity Lithography by Off-axis Illumination
【摘要】 根据菲涅尔 基尔霍夫衍射公式 ,推导出斜照明接近式光刻系统中硅片表面的光强分布 ,并在几种条件下进行了模拟数值计算 ,分析了斜照技术的实用条件及改善光刻分辨率的效果和应用前景。
【Abstract】 Intensity distribution on the wafer plane in proximity printing system under off-axis illumination is derived based on the amplitude analytic expression for Fresnel-Kirchhoff diffraction.Numerical simulations have been done under various conditions.Resolution enhancement effect by off-axis illumination and its application are analyzed.
【关键词】 接近式光刻；
准分子激光光刻；
分辨率改善；
斜照明；
【Key words】 proximity lithography； excimer laser lithography； resolution enhancement； off-axis illumination；
【Key words】 proximity lithography； excimer laser lithography； resolution enhancement； off-axis illumination；
【基金】 国家自然科学基金资助项目! (6 98780 2 9)
- 【文献出处】 微细加工技术 ,Microfabrication Technology , 编辑部邮箱 ,2001年02期
- 【分类号】TN305.7
- 【被引频次】6
- 【下载频次】132