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巨磁阻效应的简单应用

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【作者】 姚东来雎胜鞠艳吴银忠

【机构】 苏州大学物理系!江苏苏州215006

【摘要】 巨磁电阻效应是指物质在磁场作用下电阻发生巨大变化的现象 ,或称为巨磁阻 (GiantMagnetoResistance ,简称GMR)效应 .1 988年M .N .Baibich首先报导了在Fe/Cr金属多层膜中发现了具有 5 0 %的巨磁电阻效应 ,受到了各国科学家的重视 .IBM公司在 1 997年宣称巨磁阻效应可被用于制作硬盘驱动器的读出磁头 ,并预计仅仅采用新的GMR材料就可以使原来每张磁盘的容量由 1G提高到 2 0G .巨磁阻效应的另外的重大应用是永久磁存储器和GMR传感器 .1 基本原理在传统的半导体电子学中电阻的形成是基于电子或者空穴载流子 .而在磁电子学理论中 ,巨磁电阻

  • 【分类号】O482.5
  • 【被引频次】1
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