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用蒙特卡罗法计算X射线在重金属界面的剂量增强系数

MONTE-CARLO CALCULATION OF X-RAY DOSE ENHANCEMENT FACTOR NEARBY HIGH Z METAL CONNECTED INTERFACE

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【作者】 牟维兵； 陈盘训；

【Author】 MU WEI\|BING 1) CHEN PAN\|XUN 2) 1) (Nuclear Physics and Chemistry Institute,China Academy of Engineering Physics,Mianyang P.O.Box 919\|204,Mianyang 621900,China) 2) (Electricity Engineering Institute,China Academy of Engine

【机构】 中国工程物理研究院西南核物理与化学研究所!绵阳919信箱213分箱； 绵阳621900； 中国工程物理研究院电子工程研究所!绵阳919信箱522分箱；

【摘要】 当X射线射入不同材料组成的界面时 ,在低Z材料的一侧将产生剂量增强 .介绍了界面剂量增强效应的基本原理 ,并用蒙特 卡洛程序计算了钨 硅、钽 硅、钨 二氧化硅和钽 二氧化硅界面的剂量增强系数 .

【Abstract】 The dose would be enhanced on the low\| Z material side when X\|ray enters the interface constructed with two different materials.The mechanism of dose enhancement has been discussed and the Dose Enhancement Factors of W\|Si,W\|SiO 2,Ta\|Si and Ta\|SiO 2 interfaces are calculated by the Monte\|Carlo method.

【关键词】 X射线； 界面； 辐射损伤； 剂量增强系数；
【Key words】 X\|ray； interface； radiation impairment； dose\|enhancement\|factor；
  • 【文献出处】 物理学报 ,Acta Physica Sinica , 编辑部邮箱 ,2001年02期
  • 【分类号】TN405
  • 【被引频次】17
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