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DEA（TCNQ）2与TEA（TCNQ）2单晶上的STM热化学烧孔性能比较
Comparative about the STM Thermochemical Hole Burning of DEA（TCNQ）2 and TEA（TCNQ）2
【摘要】 利用STM隧道电流焦耳热诱导分解气化的热化学烧孔方法，对两种存储材料DEA（TCNQ）2和TEA（TCNQ）2的存储性能作了比较,DEA（TCNQ）2可以得到更高的存储密度、更大的信息孔深/孔径比,有更大的写入阈值电压.由此说明通过对存储材料的设计可以对存储系统的性能进行优化.
【Abstract】 The thermochemical hole burning properties of two different charge transfer complexes,DEA（TCNQ）2 and TEA（TCNQ）2,were studied in this work.It shows that the data writing on DEA（TCNQ）2 needs a larger threshold voltage compared with TEA（TCNQ）2,and that the DEA（TCNQ）2 gives a smaller hole size and a higher depth/diameter ratio,demonstrating the possibility of optimizing the storage performance with a suitable molecular design.
【关键词】 STM；
信息存储；
热化学烧孔；
存储材料；
【Key words】 STM； Data storage； Thermochemical Hole Burning； Storage material；
【Key words】 STM； Data storage； Thermochemical Hole Burning； Storage material；
【基金】 国家自然科学基金重大项目(6989022);国家自然科学基金(29973001)联合资助项目(59910161982);国家杰出青年科学基金(59425006)资助项
- 【文献出处】 物理化学学报 ,Acta Physico-chimica Sinica , 编辑部邮箱 ,2001年09期
- 【分类号】TQ591
- 【被引频次】1
- 【下载频次】37