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钇改性PZT薄膜的极化印刻研究

Imprint Properties of Yttrium Modified PZT Thin Films

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【Author】 QIU Ping-Sun,LUO Wei-Gen,DING Ai-Li (Laboratory of Inorganic Materials, chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)

【机构】中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室；中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室上海200050；上海200050；上海200050；

【摘要】铁电ＰＺＴ薄膜的极化印刻（ｉｍｐｒｉｎｔｉｎｇ）是ＰＺＴ不挥发存储器失效的重要原因之一．本文研究了不同钇量改性的ＰＺＴ（４０／６０）铁电薄膜在高温（１２０℃）和偏置电压下的极化印刻特性，发现适量的钇掺杂，改善了ＰＺＴ薄膜电容器单元的极化印刻．更多还原

【Abstract】 Imprint failure is one of the important failure mechanisms for PZT nonvolatile memo- ries. The imprint properties of Y-dopped PZT(40/60) thin films at bias voltages and a temperature of 120℃ were investigated. The results obtained show that the imprint-resistant properties of the PZT thin films are enhanced by a suitable Y dopant concentration.更多还原

【关键词】铁电薄膜； Y-PZT薄膜；印刻(imprinting)；
【Key words】 ferroelectric thin films； Y-dopped PZT(40/60) thin films； imprinting；

【基金】国家“863”高技术（715－002－008）资助;国家自然科学基金（59995200）

【文献出处】无机材料学报 ,Journal of Inorganic Materials , 编辑部邮箱 ,2001年05期

【分类号】TB43
【被引频次】5
【下载频次】68

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