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一种适合电路仿真的IGBT模型

A IGBT model adapting to simulate

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【作者】 梁中华成燕孙勇军葛利俊

【Author】 LIANG Zhong-hua,CHENG Yan,SUN Yong-jun,GE Li-jun(School of Electrical Engineering,S henyang University of Technology,S henyang 110023,China)

【机构】 沈阳工业大学电气工程学院沈阳工业大学电气工程学院 辽宁沈阳110023辽宁沈阳110023辽宁沈阳110023

【摘要】 介绍了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的物理特征及其基本结构,针对IGBT的输入、输出特性,建立了一种宏模型,并运用PSPICE软件对它进行了仿真,并与实际IGBT器件的相关特征数据进行了比较,结果表明,这种宏模型能够很好的模拟IGBT器件的静态和动态特性.

【Abstract】 In this paper,the physical characte ristics of Insulate Gate Bipolar Tra nsistor(IGBT)are introduced.Aiming at the input and output charac teristics of IGBT,the micromodel of the IGBT has been constracted and computed by PSPICE.At the end,the re sult has been compared with the practical date and verified that this mi-cromodel is practical.

  • 【文献出处】 沈阳工业大学学报 ,Journal of Shenyang University of Technology , 编辑部邮箱 ,2001年S1期
  • 【分类号】TN32
  • 【被引频次】9
  • 【下载频次】564
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