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电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜机理初探

Initial Mechanism Discuss on Synthesis of AlN Thin Film by Activated Reactive Ion Plating with Cathode Arc Source Assisted by Electrons Bath

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【Author】 PAN Jun de, TIAN Lin hai, XIN Hai wei, HE Qi, ZHAO Jin xiang (Research Institute of Surface Engineering,Taiyuan University of Technology)

【机构】太原理工大学表面工程研究所!山西太原030024；

【摘要】研究了电子浴辅助阴极电弧源法合成 Al N薄膜的形核生长过程 ,并对生长机理进行了初步的探讨更多还原

【Abstract】 The nucleation and growth process of AlN thin film synthesized by activated reactive ion plating with cathode arc source assisted by electrons bath was researched.At the same time,the growth mechanism of AlN thin film was initially discussed.更多还原

【关键词】阴极电弧源法； AlN薄膜；机理初探；
【Key words】 cathode arc source； aluminium nitride thin film； mechanism；

【基金】山西省青年基金资助项目!项目编号 :981 0 2 6

【文献出处】热加工工艺 ,Hot Working Technology , 编辑部邮箱 ,2001年01期

【分类号】TG174.4
【被引频次】3
【下载频次】27

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