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肖特基二极管异常击穿特性曲线的研究

Abnormal Breakdown Diagram of the Schottky Barrier Diodes

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【作者】 刘法斌； 张平； 周明； 董军；

【Author】 LIU Fa-bin, ZHANG Ping,ZHOU Ming,DONG Jun

【机构】 济南半导体元件实验所!济南250014； 济南大学!济南250002；

【摘要】 本文简述了肖特基二极管的原理，结构、性能特点，分析了生产中经常出现的异常击穿特性曲线，并提出了相应的改进措施。

【Abstract】 This paper describes principle, structure and characteristics of schottky barrier diodes. Abnormal breakdown diagram appearing constantly in the production are analyzed, and countermeasure are proposed.

【关键词】 肖特基势垒二极管； 硅化物； 异常击穿特性曲线； 保护环；
【Key words】 Schottky barrier diodes Silicide Abnormal breakdown diagram Guard-ring；
  • 【文献出处】 山东电子 ,Shandong Electronics , 编辑部邮箱 ,2001年02期
  • 【分类号】TN31
  • 【被引频次】2
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