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VDMOSFET终端场板的设计考虑

Design Consideration of the Field Plate of Terminal VDMOSFET

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【作者】 张颖； 陈炳全； 石广元；

【Author】 ZHANG Ying 1, CHEN Bingquan 2, SHI Guangyuan 1 1.Department of Physics,Liaoning University, Shenyang 110036; 2.Mustang Equip Ministry Resident Military Commissarial Office in Guang Zhou 510260

【机构】 辽宁大学物理系； 广州海装驻广州地区军代表室； 辽宁大学物理系 辽宁沈阳110036； 510260； 辽宁沈阳110036；

【摘要】 对最基本的场板结构 ,通过理论推导 ,深入讨论了场板下氧化层厚度与击穿电压、氧化层玷污所带正电荷电量之间的关系 ;又给出了场板长度值与击穿电压和P+区结深之间的关系 .为VDMOSFET的结构设计和工艺实施提供了理论的依据

【Abstract】 Based on essenticial structure of VDMOSFET field plate and theoretical deduction, detail discussion of two connections that are the connections among oxidic thickness under the field plate, breakdown voltage and surface charge in the oxide and the connections among the length of field plate, breakdown voltage and junction depth of P + are presented. Theoretical foundation is provided for VDMOSFET structure design and technological practice.

【关键词】 场板； 氧化层厚度； 场板长度； 击穿电压；
【Key words】 Field plate； oxidic thickness； field plate length； breakdown voltage.；
  • 【文献出处】 辽宁大学学报(自然科学版) ,