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化学气相沉积过程各参数对沉积速度和薄膜晶体组织结构的影响

THE INFLUENCES OF CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESSING PARA-METERS COATING RATE AND FILM CRYSTAL STRUCTURES

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【Author】 XU Qing yuan, XIONG Guo gang, XIAO Li peng (Insitute of Machinery Manufucturing Technology, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621900, China)

【机构】中国工程物理研究院机械制造工艺研究所；中国工程物理研究院机械制造工艺研究所四川绵阳621900；四川绵阳621900；四川绵阳621900；

【摘要】以氢气还原氯化钨沉积纯钨薄膜为例 ,简述了化学气相沉积法反应的主要原理 ,叙述了在反应过程中各参数对沉积速率的影响 ,及各参数对晶体结构的影响更多还原

【Abstract】 The principle of chemical vapor deposition was introduced by examplification of tungsten film deposition through hydrogen reduction of tungsten chloride. The influences of processing parameters during chemical vapor deposition on deposition rate and crystal structure were studied.更多还原

【关键词】化学气相沉积；薄膜；沉积速率；晶体结构；
【Key words】 Chemical vapor deposition； Film； Coating rate； Crystal structure；

【文献出处】理化检验(物理分册) ,Physical Testing and Chemical Analysis Parta Physical Testing , 编辑部邮箱 ,2001年10期

【分类号】TB43
【被引频次】6
【下载频次】236

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