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Cu的表面偏聚对NiFe/FeMn交换耦合场的影响

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【作者】 李明华； 于广华； 朱逢吾； 姜宏伟； 赖武彦；

【机构】 北京科技大学材料物理系； 中国科学院物理研究所； 中国科学院物理研究所 北京100083 中国科学院物理研究所北京100080； 北京100083； 北京100080； 北京100080；

【摘要】 采用磁控溅射方法制备了分别以Ｔａ和Ｔａ／Ｃｕ作为缓冲层的两种ＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ双层膜．实验发现，以Ｔａ为缓冲层的ＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ双层膜的交换耦合场比以Ｔａ／Ｃｕ为缓冲层的ＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ双层膜的交换耦合场大．测量了这两种双层膜的织构、表面粗糙度和表面成分．结果表明以Ｔａ／Ｃｕ为缓冲层时，Ｃｕ在ＮｉＦｅ层的表面偏聚是造成ＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ双层膜交换耦合场降低的重要原因．

【关键词】 NiFe/FeMn； 交换耦合场； 织构； 表面粗糙度； 表面偏聚；
【基金】 国家自然科学基金重大资助项目（批准号：19890310）
  • 【文献出处】 科学通报 ,Chinese Science Bulletin , 编辑部邮箱 ,2001年15期
  • 【分类号】TM271
  • 【被引频次】1
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