【摘要】 分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出ＧａＡＩＡＳ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱材料（ＣＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率可达１０ Ｗ，峰值波长为 ８０６～８０９ ｎｍ。更多还原

【Abstract】 The GaAlAs/GaAs material with gradient refraction index separate confinement single quatum well structure has been worked out by MBE. Array laser diodes CW output power achieves 10W under the room temperature. The peak wavelength is 806 ～ 809 nm.更多还原