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二氧化硅厚膜材料的快速生长及其致密化处理

Quick Deposition and Consolidation of Silica Thick Films

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【作者】 吴远大; 邢华; 卓仲畅; 余永森; 郑伟; 刘国范; 张玉书;

【Author】 WU Yuan-da, XING Hua, ZHUO Zhong-chang, YU Yong-sen, ZHENG Wei, LIU Guo-fan, ZHANG Yu-shu (College of Electronics Science and Engineering, State Key Laboratory Integrated Opto\|Electronics,Jilin University, Changchun, 130023, P.R.China)

【机构】 吉林大学电子科学与工程学院; 集成光电子学国家重点实验室; 集成光电子学;

【摘要】 采用火焰水解法 ( FHD)在 Si片上快速淀积出 Si O2 厚膜材料 ,材料膜厚 40 μm以上 ,生长速率 8μm/ min.将该材料分别在真空中和空气中高温致密化处理 ,获得各种形态的二氧化硅厚膜材料 .利用 XRD,SEM,电子显微镜等仪器对 Si O2 膜的表面和膜厚进行测试分析

【Abstract】 The SiO 2 thick films were deposited on silicon substrate by flame hydrolysis deposition (FHD). The thickness of the films was up to 40 μm, and the deposition speed was as high as 8 μm per minute. Then, the films were consolidated in electric furnaces both in vacuum and air ambience. Finally, the silica films were analyzed by means of XRD, SEM, microscopy, etc.

【基金】 国家 973项目资助 (批准号 :G2 0 0 0 36 6 0 2 )
  • 【文献出处】 吉林大学自然科学学报 ,Journal of Jilin University , 编辑部邮箱 ,2001年04期
  • 【分类号】TN304.055
  • 【被引频次】5
  • 【下载频次】145
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