节点文献

用脉冲激光沉积方法制备氮化铝薄膜

Preparation of Aluminum Nitride Films Using Pulsed Laser Deposition

推荐 CAJ下载
PDF下载
不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【Author】 LING Hao 1 SHI Wei 1 SUN Jian 1 YING Zhi feng 1 WU Jia da 1 LI Fu ming 1 WANG Kang lin 2 DING Xun min 2 1State Key Laboratory for Materials Modification by Laser, Ion and Electron Beams, 2National Key Laboratory of Applie

【机构】复旦大学三束材料改性国家重点实验室!上海200433；复旦大学三束材料改性国家?；

【摘要】介绍了用脉冲激光沉积 (PLD)方法制备AlN薄膜的工作 ,在Si(10 0 )衬底上得到了光滑平整、透明度高的AlN薄膜 ,由实验结果拟合得到能隙宽度为 5 7eV。考察了衬底温度和退火温度的影响。更多还原

【Abstract】 This paper describes the preparation of AlN films using pulsed laser deposition. Smooth and highly transparent AlN films were deposited on Si (100) substrates. The gap of the films was determined to be 5.7 eV. The effects of substrate temperature and annealing temperature were also examined.更多还原

【关键词】脉冲激光沉积；氮化铝；激光烧蚀；
【Key words】 pulsed laser deposition； aluminum nitride； laser ablation；

【基金】国家自然科学基金! (6 98780 0 4);上海市科技发展基金! (98JC140 11)资助项目

【文献出处】中国激光 ,Chinese Journal of Lasers , 编辑部邮箱 ,2001年03期

【分类号】O484.1
【被引频次】25
【下载频次】211

知网节下载

节点文献中：

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络

节点文献