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团簇取样法计算六方晶系GaN晶体中NK-edge电子能量损失谱近阈精细结构

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【作者】 高尚鹏； 张卫华； 李家明； 朱静；

【机构】 清华大学材料科学与工程研究院电子显微镜实验室,清华大学物理系原子分子纳米科学研究中心,清华大学物理系原子分子纳米科学研究中心,清华大学材料科学与工程研究院电子显微镜实验室 北京100084,北京100084,北京100084； 中国科学院物理研究所,北京100080,北京100084；

【摘要】 利用多重散射自洽场方法 ,通过团簇取样计算了晶体的电子能量损失谱精细结构 .GaN晶体中NK_edge近阈结构的计算结果与实验谱线符合得很好 .由于理论结果可以对不同能量损失区间的透射电子给出清楚标识 ,讨论了有关能量过滤像的实验 .

【关键词】 团簇模型； 多重散射自洽场方法； GaN； 能量损失谱精细结构； 能量过滤像；
【基金】 国家自然科学基金资助项目 (批准号:1973 4 0 3 0 ) ;国家 973项目;国家 863项目;攀登计划和科学技术部项目;国家高技术ICF委员会项目;教育部项目;清华大学985项目
  • 【文献出处】 中国科学(A辑) ,Science in China,Ser.A , 编辑部邮箱 ,2001年10期
  • 【分类号】O73
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