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InGaAs/InAlAs量子级联激光器研究

INVESTIGATION ON InGaAs/InAlAs QUANTUM CASCADE LASERS’

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【作者】张权生；刘峰奇；张永照；王占国； HonghaiGao； A.Krier；

【Author】 ZHANG Quang Sheng 1) LIU Feng Qi 2) ZHANG Yong Zhao 1) WANG Zhang Guo 2) Honghai Gao 3) A.Krier 3) ( 1) National Integrated Optoelectronics Laboratory, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences,

【机构】中国科学院半导体研究所；集成光电子学国家重点实验室!北京； 100083；中国科学院半导体研究所半导体材料开放实验室!北京； PhysicsDepartimetLanc；

【摘要】简要报道了自行研制的 In Ga As/ In Al As量子级联激光器的制备及其主要特性 .该器件具有增强型脊型波导结构 ,在 80 K时阈值电流为 0 .5 A,相应的阈值电流密度为 5 KA/ cm2 .更多还原

【Abstract】 The preparation and main characteristics of the InGaAs/InAlAs quantum cascade laser were given. The device has a reinforced ridge waveguide structure. The threshold current obtained at 80K is about 0 5A, and the corresponding threshold current density is about 5kA/cm 2.更多还原

【关键词】量子级联；子带跃迁；激光器；
【Key words】 quantum cascade； subband transition； laser.；

【基金】 86 3计划! (编号 86 3-715 -0 0 1-0 111);国家自然科学基金! (编号6 9786 0 0 2 )&&

【文献出处】红外与毫米波学报 ,Journal of Infrared and Millimeter Waves , 编辑部邮箱 ,2001年01期

【分类号】TN248
【被引频次】10
【下载频次】215

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