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X射线在重金属-硅界面的剂量增强系数的计算

Calculation of the dose enhancement factor to W-Si and Ta-Si interface

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【Author】 MOU Wei bing 1,CHEN Pan xun 2( 1 Institute of Nuclear Physics and Chemistry,CAEP,P.O.Box 919 213, Mianyang of Sichuan Prov.621900, China; 2 Institute of Applied Electronics, CAEP, P.O.Box 919 1012, Mianyang of Sichuan 621900, China)

【机构】中国工程物理研究院核物理与化学研究所!四川绵阳919信箱213分箱621900；中国工程物理研究院应用电子学研究所!四川绵阳919信箱1012分箱621900；

【摘要】当 X射线射入不同材料组成的界面时 ,在低 Z材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理 ,并用 MCNP Monte- Carlo程序计算了钨 -硅、钽 -硅界面的剂量增强系数更多还原

【Abstract】 The dose is enhanced in low Z material when X ray enters the interface which is constructed with different materials. The mechanic of dose enhancement is introduced in this article, and the dose enhancement factor of W Si, Ta Si interface are calculated.更多还原

【关键词】 X射线；界面；辐射损伤；剂量增强系数；
【Key words】 X ray； interface； radiation impairment； dose enhancement；

【文献出处】核电子学与探测技术 ,Nuclear Electronics & Detection Technology , 编辑部邮箱 ,2001年03期

【分类号】O434.1
【被引频次】3
【下载频次】53

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