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中压C-GIS中穿墙套管的电场数值计算及优化设计

ELECTRIC FIELD SIMULATION AND STRUCTURE OPTIMIZATION OF THE WALL BUSHING IN MEDIUM VOLTAGE C-GIS

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【作者】 孙海涛雷颖陈德桂王平

【Author】 SUN Haitao 1, LEI Ying 2, CHEN Degui 1, WANG Ping 2 (1.Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049,China; ?2.Xi’an High Voltage Apparatus Research Institute,?Xi’an 710077,China)

【机构】 西安交通大学!陕西西安710049西安高压电器研究所!陕西西安710077

【摘要】 本文针对 40 .5kVC -GIS中的重要元件穿墙套管进行了电场数值计算 ,计算出该套管在不同结构尺寸下的场强分布及场强最大值点 ,根据计算结果为工程实际提供了优化设计尺寸和一些改进措施 ,并得到了实验验证。

【Abstract】 Electrostatic field of wall bushing which is a very important part of 40.5kV C-GIS is simulated with numerical analysis.The maximum electric field intensity can be got by calculating different dimension of bushing with Quickfield software.Based on simulation,the optimization dimensions and improving measures are described in this paper.Moreover,the calculation result is consistent with the test of a wall bushing sample.

【关键词】 有限元分析套管数值分析闪络
【Key words】 FEM analysisbushingnumerical calculationflashover
  • 【文献出处】 高压电器 ,High Voltage Apparatus , 编辑部邮箱 ,2001年03期
  • 【分类号】TM595
  • 【被引频次】25
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