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Ag、Ta元素对MoS2抗氧化性影响的研究
Influence of Ag and Ta Elements on the Oxidation Resistance of MoS2 Films
【摘要】 用离子束辅助沉积方法 (IBAD)制备MoS2 Ag和MoS2 Ta复合膜以及MoS2 膜。用XPS分别检测在相对湿度 10 0 %室温环境下存放 4 5天和室温去离子水浸泡 15 8h以及在 4 30℃加热 1h后的三种膜中Mo、S元素的电子结构。数据表明 :掺有Ag、Ta元素的MoS2 复合膜抗氧化特性远优于同种工艺条件下制备的纯MoS2 膜。
【Abstract】 MoS 2 Ag, MoS 2 Ta composite films and MoS 2 films were prepared by ion beam assisted deposition (IBAD). The electron structure of elements Mo and S were examined by XPS for the three samples which were stored for forty five days in 100% relative humidity, immersed for 158h in deionzed water or heated for 1 hour at 430℃ respectively. The oxidation resistance of MoS 2 Ag, MoS 2 Ta composite films much superior to that of the pure MoS 2 films deposited under the same condition was observed in the three environments.
【关键词】 离子束辅助沉积；
MoS2Ag复合膜；
MoS2Ta复合膜；
氧化；
【Key words】 ion beam assisted deposition； MoS 2 Ag composite film； MoS 2 Ta composite film； oxidation；
【Key words】 ion beam assisted deposition； MoS 2 Ag composite film； MoS 2 Ta composite film； oxidation；
【基金】 核工业科学基金 (HJ96 0 1)
- 【文献出处】 机械工程材料 ,Materials For Mechanical Engineering , 编辑部邮箱 ,2001年09期
- 【分类号】TB43
- 【被引频次】5
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